产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 208 W,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
Infineon (17)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
IPP60R125CP
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7478
搜索
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
SPW20N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
354-6414
查看其他仓库
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
SPP21N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3207
搜索
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7440PBF, 208 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
IRFS7440PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8975
查看其他仓库
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
IPW60R125CP
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7333
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R340C3, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
IPW90R340C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8390
搜索
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7440PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
IRFB7440PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9188
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPI21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
SPI21N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8772
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL7440PBF, 208 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
IRFSL7440PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5090
查看其他仓库
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPP20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
SPP20N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
354-6391
查看其他仓库
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET SPP20N60CFD, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
SPP20N60CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3204
查看其他仓库
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60C3, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
SPW20N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
462-3449
搜索
Infineon Si N沟道 MOSFET SPB21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
SPB21N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3162
搜索
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7440TRLPBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
IRFS7440TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9153
查看其他仓库
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI21N50C3XKSA1, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
SPI21N50C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8781
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
SPW21N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7179
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP20N60C3, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
SPP20N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
462-3376
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号