产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
IPP60R125CP
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7478
搜索
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
SPW20N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
354-6414
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP20N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCP20N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4746
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB20N60FTM, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCB20N60FTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6119
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
SPP21N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3207
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP090N10, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FDP090N10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9670
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP190N60E, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCP190N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9102
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCP190N60E, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCP190N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1152
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7440PBF, 208 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
IRFS7440PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8975
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP190N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCP190N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-5065
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP20N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCP20N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4838
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
IPW60R125CP
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7333
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB20N60TM, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCB20N60TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0330
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R340C3, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
IPW90R340C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8390
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7440PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
IRFB7440PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9188
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHG14N50D-GE3, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
SiHG14N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9213
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHP14N50D-GE3, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
SiHP14N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9216
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPI21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
SPI21N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8772
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCP190N60_GF102, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCP190N60_GF102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7900
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP190N65F, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCP190N65F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7903
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL7440PBF, 208 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
IRFSL7440PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5090
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPP20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
SPP20N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
354-6391
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Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET SPP20N60CFD, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
SPP20N60CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3204
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCMT199N60, 20 A, Vds=600 V, 4引脚 电源 88封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCMT199N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7880
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCA20N60F, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 208 W,
制造商零件编号:
FCA20N60F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1230
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