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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5004TR2PBF, 28 A, Vds=40 V, 8引脚 QFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.6 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH5004TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9268
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5301TR2PBF, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 QFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.6 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH5301TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9280
  
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• International Rectifier N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5104TR2PBF, 24 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.6 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH5104TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  737-7262
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5255TR2PBF, 15 A, Vds=25 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.6 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH5255TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  737-7271
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH6200TR2PBF, 45 A, Vds=20 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.6 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH6200TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7284
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 Si MOSFET SQ3460EV-T1_GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.6 W,
• 制造商零件编号：
  SQ3460EV-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9468
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI3464DV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.6 W,
• 制造商零件编号：
  SI3464DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3167
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5304TR2PBF, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.6 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH5304TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9290
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5204TR2PBF, 22 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.6 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH5204TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7265
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRFH5300TR2PBF, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 QFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3.6 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH5300TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9287
  
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