产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (6)
Infineon (32)
International Rectifier (1)
MagnaChip (1)
Nexperia (1)
STMicroelectronics (48)
Toshiba (40)
Vishay (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N20, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
STD5N20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
248-990
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ24NPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
IRLZ24NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1231
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFIZ46NPBF, 33 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
IRFIZ46NPBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
542-9759
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLIZ44NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
IRLIZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0541
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD4NK50ZT4, 3 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
STD4NK50ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5153
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFZ24NS, 17 A, Vds=55 V, 4引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
AUIRFZ24NS
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1872
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC057N03MS G, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
BSC057N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5279
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD2N62K3, 2.2 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
STD2N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9569
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP3LN62K3, 2.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
STP3LN62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9689
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STD3LN62K3, 2.5 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
STD3LN62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9897
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP4NK50ZD, 3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
STP4NK50ZD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0134
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STB16NF06LT4, 16 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
STB16NF06LT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0651
搜索
Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQJ850EP-T1_GE3, 24 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
SQJ850EP-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9500
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7ANM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
STD7ANM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5723
查看其他仓库
Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 TPH7R506NH, 55 A, Vds=60 V, 8引脚 SOP 高级封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
TPH7R506NH
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5147
查看其他仓库
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK100A08N1,S4X(S, 214 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
TK100A08N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4980
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK20A60W,S5VX(M, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
TK20A60W,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5062
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK6A65D(STA4,X,M), 6 A, Vds=650 V, 3引脚 SC-67封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
TK6A65D(STA4,X,M)
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5191
查看其他仓库
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK72A08N1,S4X(S, 157 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
TK72A08N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5194
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQD5P20TM, 2.3 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
FQD5P20TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-9026
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A06N1,S4X(S, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
TK100A06N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6097
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK65A10N1,S4X(S, 65 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
TK65A10N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6258
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STU2N95K5, 2 A, Vds=950 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
STU2N95K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-1471
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STU2N80K5, 2 A, Vds=800 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
STU2N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-1478
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP5N60M2, 3.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 45 W,
制造商零件编号:
STP5N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-4433
搜索
1
2
3
4
5
6
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号