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• Nexperia 双 N沟道 Si MOSFET PMGD280UN,115, 870 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 mW,
• 制造商零件编号：
  PMGD280UN,115
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8329
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2990UFA-7B, 510 mA, Vds=20 V, 3引脚 X2-DFN0806封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 mW,
• 制造商零件编号：
  DMN2990UFA-7B
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5276
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET Si1308EDL-T1-GE3, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 mW,
• 制造商零件编号：
  Si1308EDL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9121
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET 2N7000_D26Z, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7000_D26Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4074
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET 2N7000TA, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7000TA
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-0224
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI1315DL-T1-GE3, 700 mA, Vds=8 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 mW,
• 制造商零件编号：
  SI1315DL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3057
  
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• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN5L06DMK-7, 800mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-26封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 mW,
• 制造商零件编号：
  DMN5L06DMK-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-2949
  
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• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN3190LDW-7, 1.3 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 mW,
• 制造商零件编号：
  DMN3190LDW-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0480
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NVR1P02T1G, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 mW,
• 制造商零件编号：
  NVR1P02T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-2534
  
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• DiodesZetex 双 P沟道 Si MOSFET DMP56D0UV-7, 160 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-563封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 mW,
• 制造商零件编号：
  DMP56D0UV-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  828-3231
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR1P02T1G, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 mW,
• 制造商零件编号：
  NTR1P02T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  688-9143
  
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• ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTJD1155LT1G, 1.3 A, Vds=8 V, 6引脚 SC-88封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 mW,
• 制造商零件编号：
  NTJD1155LT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0605
  
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• Nexperia Si P沟道 MOSFET NX2301P, 2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 mW,
• 制造商零件编号：
  NX2301P
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  780-5376
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTR1P02LT3G, 1.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 mW,
• 制造商零件编号：
  NTR1P02LT3G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  808-0060
  
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• DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMN2005DLP4K-7, 350 mA, Vds=20 V, 6引脚 DFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 mW,
• 制造商零件编号：
  DMN2005DLP4K-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2536
  
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• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN65D8LDW-7, 200 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 mW,
• 制造商零件编号：
  DMN65D8LDW-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2602
  
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• DiodesZetex 双 P沟道 Si MOSFET DMP2004VK-7, 350 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 mW,
• 制造商零件编号：
  DMP2004VK-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2618
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7000, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 400 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7000
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4733
  
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