产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics STripFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET STS4DPF30L, 4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
STS4DPF30L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
248-861
搜索
NXP 双 Si N/P沟道 MOSFET PHC21025, 2.3 A,3.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
PHC21025
品牌:
Nexperia
库存编号:
484-5380
搜索
Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDS6890A, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
FDS6890A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0633
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6898A, 9.4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
FDS6898A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0646
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6930B, 5.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
FDS6930B
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0655
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6982AS, 6.3 A,8.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
FDS6982AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0665
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6986AS, 6.5 A,7.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
FDS6986AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0677
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTGS3455T1G, 3.5 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
NTGS3455T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
688-9133
搜索
ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET NTMD3P03R2G, 3.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
NTMD3P03R2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
688-9137
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4214DDY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
SI4214DDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3327
搜索
Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI9933CDY-T1-GE3, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
SI9933CDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3395
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4936BDY-T1-E3, 5.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
SI4936BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4746
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STMicroelectronics STripFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET STS4DPF20L, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
STS4DPF20L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
248-855
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Infineon 双 Si P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7316PBF, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
IRF7316PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-616
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF9952PBF, 2.3 A,3.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
IRF9952PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-701
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Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7910PBF, 10 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
IRF7910PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
405-521
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5805TRPBF, 3.8 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
IRF5805TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-3763
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRF8915PBF, 8.9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
IRF8915PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4693
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF8910PBF, 10 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
IRF8910PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4722
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP0545GTA, 75 mA, Vds=450 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
ZVP0545GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7688
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8854, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
FDMC8854
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0393
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQT5P10TF, 1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
FQT5P10TF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1068
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7351PBF, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
IRF7351PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9237
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN2110GTA, 500 mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
ZVN2110GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
155-135
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STMicroelectronics STripFET 系列 双 N/P沟道 MOSFET STS8C5H30L, 5.4 A, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 2000 mW,
制造商零件编号:
STS8C5H30L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
248-877
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