产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Magnatec N沟道 Si MOSFET BUZ900, 8 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-3封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
BUZ900
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-025
搜索
Magnatec Si N沟道 MOSFET BUZ901, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
BUZ901
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-053
搜索
Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ906, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
BUZ906
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-110
搜索
Magnatec P沟道 Si MOSFET BUZ906P, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
BUZ906P
品牌:
Magnatec
库存编号:
841-132
搜索
Magnatec Si P沟道 MOSFET IRF9140, 18 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IRF9140
品牌:
Magnatec
库存编号:
189-0955
搜索
Magnatec N沟道 Si MOSFET BUZ900DP, 16 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-3封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
BUZ900DP
品牌:
Magnatec
库存编号:
197-9941
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Magnatec Si N沟道 MOSFET IRF140, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IRF140
品牌:
Magnatec
库存编号:
263-6910
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF740PBF, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IRF740PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0020
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRFBC40LCPBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IRFBC40LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0159
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF640PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IRF640PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0452
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBG30PBF, 3.1 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IRFBG30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1146
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MTB50P03HDLT4G, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
MTB50P03HDLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
625-5852
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRF9640LPBF, 11 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IRF9640LPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4895
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP11N60, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FCP11N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4730
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Infineon DirectFET, HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7799L2TR1PBF, 375 A, Vds=250 V, 11引脚 DirectFET L8封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IRF7799L2TR1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5397
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDF08N50ZG, 7.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
NDF08N50ZG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2828
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Semelab Si P沟道 MOSFET ALF08P16K, 8 A, Vds=160 V, 3引脚 TO-3封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
ALF08P16K
品牌:
Semelab
库存编号:
737-9577
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Semelab Si P沟道 MOSFET ALF08P20K, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
ALF08P20K
品牌:
Semelab
库存编号:
737-9586
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP70N10S3-12, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IPP70N10S3-12
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3052
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N60C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
SPW11N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3213
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STB7NK80ZT4, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
STB7NK80ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9516
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP11N52K3, 10 A, Vds=525 V, 4引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
STP11N52K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9657
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STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STP20NM65N, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
STP20NM65N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9667
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB15NM60ND, 14 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
STB15NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9819
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS86101DC, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FDMS86101DC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9203
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