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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4306GTA, 2.1 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  ZVN4306GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  169-4151
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF610SPBF, 3.3 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  IRF610SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-2020
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUD23N06-31L-E3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  SUD23N06-31L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  611-1342
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640SPBF, 11 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  IRF9640SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  650-4211
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9610SPBF, 1.8 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  IRF9610SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  650-4227
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT3612, 3.7 A, Vds=100 V, 3引脚 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  FDT3612
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0778
  
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• DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6006DGTA, 2.8 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  ZXMS6006DGTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  738-5210
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT451AN, 7.2 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  NDT451AN
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-3978
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL16N65M5, 12 A, Vds=710 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  STL16N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3043
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16323Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  CSD16323Q3
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4707
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT3055, 4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  NDT3055
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  917-5563
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL16N65M5, 12 A, Vds=710 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  STL16N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8806
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DXT13003DG-13, 1.3 A, Vds=700 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  DXT13003DG-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1206
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3410PBF, 31 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR3410PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2238
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4310GTA, 1.67 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  ZVN4310GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  669-7458
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDT2955, 2.5 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  NDT2955
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1096
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDT452AP, 5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  NDT452AP
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1100
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STQ1HNK60R-AP, 400 mA, Vds=600 V, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  STQ1HNK60R-AP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  714-6796
  
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• DiodesZetex IntelliFET 系列 N沟道 Si MOSFET ZXMS6005DGTA, 2 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  ZXMS6005DGTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  738-5204
  
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• Toshiba 2SK 系列 Si N沟道 MOSFET 2SK3074(TE12L,F), 1 A, Vds=30 V, 3引脚 PW Mini封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  2SK3074(TE12L,F)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  760-3132
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL17N65M5, 10 A, Vds=650 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  STL17N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3129
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI3447CDV-T1-GE3, 6.2 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  SI3447CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3154
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7811AVPBF, 11.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7811AVPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3883
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16327Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  CSD16327Q3
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4729
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16340Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 3 W,
• 制造商零件编号：
  CSD16340Q3
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4732
  
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