产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1600 mW,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS8858CZ, 7.3 A,8.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1600 mW,
制造商零件编号:
FDS8858CZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0719
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Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDS8984, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1600 mW,
制造商零件编号:
FDS8984
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0753
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDS4935BZ, 6.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1600 mW,
制造商零件编号:
FDS4935BZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0536
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6990AS, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1600 mW,
制造商零件编号:
FDS6990AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0671
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC658P, 4 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1600 mW,
制造商零件编号:
FDC658P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0359
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6910, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1600 mW,
制造商零件编号:
FDS6910
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0652
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS8978, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1600 mW,
制造商零件编号:
FDS8978
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0744
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC5614P, 3 A, Vds=60 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1600 mW,
制造商零件编号:
FDC5614P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0346
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Vishay 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管 SI7501DN-T1-E3, 5.4 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1600 mW,
制造商零件编号:
SI7501DN-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
699-7345
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