产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 100 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD096N08N3G, 73 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 100 W,
制造商零件编号:
IPD096N08N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5211
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2-23, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 100 W,
制造商零件编号:
IPD30N06S2-23
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4584
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4020PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 100 W,
制造商零件编号:
IRFSL4020PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5835
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50N10S3L-16, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 100 W,
制造商零件编号:
IPB50N10S3L-16
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8958
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2L23ATMA3, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 100 W,
制造商零件编号:
IPD30N06S2L23ATMA3
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9115
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD068P03L3G, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 100 W,
制造商零件编号:
IPD068P03L3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5108
查看其他仓库
Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPI50N10S3L-16, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 100 W,
制造商零件编号:
IPI50N10S3L-16
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4685
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50N10S3L-16, 50 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 100 W,
制造商零件编号:
IPP50N10S3L-16
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6899
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N08N3 G, 70 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 100 W,
制造商零件编号:
IPP100N08N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2292
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N04S3-06, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 100 W,
制造商零件编号:
IPP80N04S3-06
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3055
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4020PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 100 W,
制造商零件编号:
IRFB4020PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6939
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