以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7201PBF, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7201PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  300-565
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8707PBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  IRF8707PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-871
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR110PBF, 4.3 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  540-9581
  
• 
  搜索

• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9014PBF, 5.1 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR9014PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  540-9604
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7204PBF, 5.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7204PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9632
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF9410PBF, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  IRF9410PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0323
  
• 
  搜索

• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9110PBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  IRFU9110PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1663
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7458PBF, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7458PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1106
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7455PBF, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7455PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1336
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7241PBF, 6.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7241PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1459
  
• 
  搜索

• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7807D1PBF, 8.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7807D1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1982
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7490PBF, 5.4 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7490PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2159
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7473PBF, 6.9 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7473PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2389
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7413PBF, 13 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7413PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2468
  
• 
  搜索

• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4424GTA, 500 mA, Vds=240 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  ZVN4424GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  669-7442
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6670AS, 13.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  FDS6670AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0586
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 FDS6676AS, 14.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  FDS6676AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0592
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6680AS, 11.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  FDS6680AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0609
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD13N06LTM, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  FQD13N06LTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0955
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQD19N10TM, 15.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  FQD19N10TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0974
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD20N06TM, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  FQD20N06TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0980
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD2N100TM, 1.6 A, Vds=1000 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  FQD2N100TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0999
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8252PBF, 25 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  IRF8252PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6885
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8734PBF, 21 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  IRF8734PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6891
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU024PBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 2.5 W,
• 制造商零件编号：
  IRFU024PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4822
  
• 
  搜索