产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9024PBF, 1.6 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
IRFD9024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0547
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9120PBF, 1 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
IRFD9120PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0553
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9014PBF, 1.1 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
IRFD9014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0733
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRLD014PBF, 1.7 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
IRLD014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0478
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML0040TRPBF, 3.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
IRLML0040TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9347
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML6244TRPBF, 6.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
IRLML6244TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7228
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ON Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET ECH8652-TL-H, 6 A, Vds=12 V, 8引脚 ECH封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
ECH8652-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0838
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ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET ECH8668-TL-H, 5 A,7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 ECH封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
ECH8668-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0869
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTHS5443T1G, 4.9 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
NTHS5443T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1055
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMS4916NR2G, 11.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
NTMS4916NR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1068
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDZ661PZ, 2.6 A, Vds=20 V, 4引脚 WLCSP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
FDZ661PZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0723
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP2100U-7, 3.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
DMP2100U-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2627
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML0040TRPBF, 3.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
IRLML0040TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4051
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9024PBF, 1.6 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
IRFD9024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4491
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
IRLML6401TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4713
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ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET ECH8659-TL-W, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 ECH8,SOT-28FL封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
ECH8659-TL-W
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
922-9461
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML6402TRPBF, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
IRLML6402TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-322
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRLD120PBF, 1.3 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
IRLD120PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0484
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Vishay 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管 SI4500BDY-T1-E3, 3.8 A, 6.6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
SI4500BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3342
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DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMG9926USD-13, 8 A, Vds=20 V, 8引脚 SOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
DMG9926USD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4124
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ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 EMH2411R-TL-H, 5 A, Vds=30 V, 8引脚 EMH封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
EMH2411R-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0904
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTHS5404T1G, 7.2 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
NTHS5404T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1046
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ON Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET NTLUD3A260PZTAG, 900 mA, Vds=20 V, 6引脚 UDFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
NTLUD3A260PZTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-1885
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTHS5441T1G, 2.8 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
NTHS5441T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-1905
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401GTRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.3 W,
制造商零件编号:
IRLML6401GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5163
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