产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 120 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP044NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
IRFP044NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1562
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR2908, 30 A,39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
AUIRLR2908
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9221
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908TRPBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
IRLR2908TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3354
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU3915PBF, 61 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
IRLU3915PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5072
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP044NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
IRFP044NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4909
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908PBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
IRLR2908PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0329
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908TRLPBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
IRLR2908TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3350
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908PBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
IRLR2908PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4714
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3711PBF, 110 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
IRF3711PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2351
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3915PBF, 61 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 120 W,
制造商零件编号:
IRLR3915PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1550
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