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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP044NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 120 W,
• 制造商零件编号：
  IRFP044NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1562
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTB25P06T4G, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 120 W,
• 制造商零件编号：
  NTB25P06T4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0510
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR2908, 30 A，39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 120 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR2908
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9221
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908TRPBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 120 W,
• 制造商零件编号：
  IRLR2908TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3354
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU3915PBF, 61 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 120 W,
• 制造商零件编号：
  IRLU3915PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5072
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP044NPBF, 53 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 120 W,
• 制造商零件编号：
  IRFP044NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4909
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STD100N10F7, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 120 W,
• 制造商零件编号：
  STD100N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-2005
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908PBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 120 W,
• 制造商零件编号：
  IRLR2908PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0329
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP9P25, 5.9 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 120 W,
• 制造商零件编号：
  FQP9P25
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5888
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQPF27P06, 19 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 120 W,
• 制造商零件编号：
  FQPF27P06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5901
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908TRLPBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 120 W,
• 制造商零件编号：
  IRLR2908TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3350
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2908PBF, 39 A, Vds=80 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 120 W,
• 制造商零件编号：
  IRLR2908PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4714
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3711PBF, 110 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 120 W,
• 制造商零件编号：
  IRF3711PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2351
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRLR3915, 30 A，61 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 120 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR3915
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  784-9234
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STD100N10F7, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 120 W,
• 制造商零件编号：
  STD100N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3592
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD80N6F6, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 120 W,
• 制造商零件编号：
  STD80N6F6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5735
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3915PBF, 61 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 120 W,
• 制造商零件编号：
  IRLR3915PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1550
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75631S3ST, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 120 W,
• 制造商零件编号：
  HUF75631S3ST
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-6698
  
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