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• Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH114,215, 850 mA, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BSH114,215
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  508-539
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET BS170_D26Z, 500 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BS170_D26Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-3596
  
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• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI3865DDV-T1-GE3, 2.8 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  SI3865DDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4270
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET 2N7002, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7002
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8398
  
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• NXP N沟道 MOSFET 2N7002F,215, 475 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7002F,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  725-8300
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTR4003NT3G, 560 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  NTR4003NT3G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4742
  
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• Nexperia Si P沟道 MOSFET NX3008PBKW, 200 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  NX3008PBKW
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  816-0582
  
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• Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI3900DV-T1-GE3, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  SI3900DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4277
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET BSH108,215, 1.9 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BSH108,215
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  509-324
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET BST82, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BST82
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  112-5548
  
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• NXP N沟道 MOSFET 晶体管 BSN20, 170 mA, Vds=50 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BSN20,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  437-0656
  
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• NXP N沟道 MOSFET 晶体管 2N7002E,215, 380 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7002E,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  725-8307
  
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• NXP N沟道 MOSFET 晶体管 SI2304DS, 1.7 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  SI2304DS
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  508-826
  
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• NXP N沟道 MOSFET BSH111,215, 330 mA, Vds=55 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BSH111,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  509-314
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PMBF170, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  PMBF170
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  484-3536
  
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• ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTGD1100LT1G, 3.3 A, Vds=8 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  NTGD1100LT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0551
  
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• Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI3900DV-T1-GE3, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  SI3900DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3170
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI6954ADQ-T1-GE3, 3.1 A, Vds=30 V, 8引脚 TSSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  SI6954ADQ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1371
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7002
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  436-7379
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET BS170, 500 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 830 mW,
• 制造商零件编号：
  BS170
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4736
  
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