产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP14NF10, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STP14NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-6780
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB8447L, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
FDB8447L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8995
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STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STD20NF06LT4, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STD20NF06LT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0411
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD20N06LT4G, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
NTD20N06LT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7879
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STD6N60M2, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STD6N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3615
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STU7N60M2, 5 A, Vds=650 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STU7N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3823
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STD7N60M2, 5 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STD7N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9295
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STI45N10F7, 45 A, Vds=100 V, 3引脚 I2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STI45N10F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5870
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STMicroelectronics STripFET V 系列 Si N沟道 MOSFET STL60N3LLH5, 60 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STL60N3LLH5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-9120
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ24PBF, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
IRFZ24PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0672
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC160N10NS3G, 42 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
BSC160N10NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9250
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STD3N80K5, 2.5 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STD3N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-7079
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L-20, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
IPD30N03S2L-20
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4580
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD20NF06T4, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STD20NF06T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
102-3533
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIB7N50APBF, 6.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
IRFIB7N50APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1966
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Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC2514SDC, 106 A, Vds=25 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
FDMC2514SDC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9500
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STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STL100N1VH5, 100 A, Vds=12 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STL100N1VH5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9635
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Fairchild Semiconductor MegaFET 系列 N沟道 Si MOSFET RFD16N05LSM9A, 16 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
RFD16N05LSM9A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-3574
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP9N60M2, 5.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STP9N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
786-3811
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STD4N80K5, 3 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STD4N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5729
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD20NF06T4, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
STD20NF06T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-9047
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK7P60W,RVQ(S, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
TK7P60W,RVQ(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5214
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB7030BL, 60 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
FDB7030BL
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
805-0356
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDB6020P, 24 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
NDB6020P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-1224
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDP6020P, 24 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 60 W,
制造商零件编号:
NDP6020P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-1230
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