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• Nexperia N沟道 Si MOSFET BF908WR,115, 40 mA, Vds=12 V, 4引脚 CMPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  BF908WR,115
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  626-2428
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDS7002A, 280 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  NDS7002A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1093
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET 2N7002-7-F, 115 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7002-7-F
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  708-2396
  
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• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET BSS84DW-7-F, 130 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS84DW-7-F
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2484
  
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• Semelab N沟道 MOSFET 晶体管 2N7000CSM, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 LCC 1封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7000CSM
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  738-7593
  
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• Fairchild Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET FDG6322C, 220 mA，410 mA, Vds=25 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  FDG6322C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-0183
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN26D0UT-7, 230 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  DMN26D0UT-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4168
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTA4153NT1G, 915 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-416封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  NTA4153NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7872
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTA4001NT1G, 240 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  NTA4001NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0494
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTA4151PT1G, 760 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  NTA4151PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0504
  
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• Fairchild Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET FDG6318PZ, 500 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  FDG6318PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3419
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NVE4153NT1G, 915 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  NVE4153NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  867-3280
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7002LT1G, 115 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7002LT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  545-0012
  
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• DiodesZetex P沟道 MOSFET 晶体管 BSS84TA, 130 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS84TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  669-7376
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET BSS84-7-F, 130 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS84-7-F
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  738-4932
  
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• Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDG6301N, 220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  FDG6301N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-0170
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTA7002NT1G, 150 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-75封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  NTA7002NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0501
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7002LT3G, 115 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7002LT3G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-6025
  
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• Fairchild Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET FDG6318P, 500 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  FDG6318P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-1738
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDG6317NZ, 700 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  FDG6317NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3400
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI1032X-T1-GE3, 200 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75A封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  SI1032X-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3031
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSS209PWH6327XTSA1, 500 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  BSS209PWH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0018
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N/P沟道 Si MOSFET FDG6332C_F085, 600 mA，700 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  FDG6332C_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8155
  
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• Fairchild Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET FDG6320C, 140 mA，220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  FDG6320C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  917-5465
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTA4153NT1G, 915 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-416封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 300 mW,
• 制造商零件编号：
  NTA4153NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-5120
  
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