以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP171P, 1.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP171P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  167-942
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP373, 1.7 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP373
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8224
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP315PH6327XTSA1, 1.17 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP315PH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9238
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP125H6327XTSA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP125H6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9276
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP125H6433XTMA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP125H6433XTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8497
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP321P, 980 mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP321P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2361
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP149 H6906, 660 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP149 H6906
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7462
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP372N H6327, 1.8 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP372N H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7754
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP149, 660 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP149
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-5720
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP603S2L, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP603S2L
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  462-2935
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP129, 350 mA, Vds=240 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP129
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2800
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP320S, 2.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP320S
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2810
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP322PH6327XTSA1, 1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP322PH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9279
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP298H6327XUSA1, 500 mA, Vds=400 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP298H6327XUSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9406
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP299H6327XUSA1, 400 mA, Vds=500 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP299H6327XUSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9415
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP135H6906XTSA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP135H6906XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8491
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP92PH6327XTSA1, 260 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP92PH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8501
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP295, 1.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP295
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  445-2269
  
• 
  搜索

• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6710S2TR1PBF, 12 A, Vds=25 V, 7引脚 DirectFET S1封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  IRF6710S2TR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6734
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP316P, 680 mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP316P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8215
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP170PH6327XTSA1, 1.9 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP170PH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9250
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP296NH6327XTSA1, 1.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP296NH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9260
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7601PBF, 5.7 A, Vds=20 V, 8引脚 微型封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7601PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5053
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7606TRPBF, 3.6 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  IRF7606TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  300-284
  
• 
  搜索

• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP300, 190 mA, Vds=800 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Infineon,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP300
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8211
  
• 
  搜索