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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP171P, 1.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP171P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  167-942
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP373, 1.7 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP373
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8224
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN6040SVT-7, 5 A, Vds=60 V, 6引脚 TSOT-26封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  DMN6040SVT-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5131
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN4060SVT-7, 4.8 A, Vds=45 V, 6引脚 TSOT-26封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  DMN4060SVT-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5137
  
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• Microchip MCP87 系列 N沟道 Si MOSFET MCP87130T-U/LC, 42 A, Vds=25 V, 8引脚 DFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  MCP87130T-U/LC
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  775-7416
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP315PH6327XTSA1, 1.17 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP315PH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9238
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP125H6327XTSA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP125H6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9276
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP6250SE-13, 6.1 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  DMP6250SE-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  828-3234
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP125H6433XTMA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP125H6433XTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8497
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP321P, 980 mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP321P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2361
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  SI7850DP-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0830
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  SI7850DP-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5659
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP149 H6906, 660 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP149 H6906
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7462
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP372N H6327, 1.8 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP372N H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7754
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP149, 660 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP149
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-5720
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP603S2L, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP603S2L
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  462-2935
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP129, 350 mA, Vds=240 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP129
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2800
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP320S, 2.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP320S
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2810
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI8489EDB-T2-E1, 4.3 A, Vds=20 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  SI8489EDB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1438
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3110S-7, 3.8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  DMN3110S-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2576
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP322PH6327XTSA1, 1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP322PH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9279
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP298H6327XUSA1, 500 mA, Vds=400 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP298H6327XUSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9406
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP299H6327XUSA1, 400 mA, Vds=500 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP299H6327XUSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9415
  
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• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN4026SSD-13, 9 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  DMN4026SSD-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0484
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP135H6906XTSA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 1.8 W,
• 制造商零件编号：
  BSP135H6906XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8491
  
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