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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 270 W,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5135
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 270 W,
• 制造商零件编号：
  TK39N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5138
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 270 W,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6211
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 270 W,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2363
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 270 W,
• 制造商零件编号：
  TK39N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2372
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R8-30PL, 100 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 270 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN1R8-30PL
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2924
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDA24N50, 24 A, Vds=500 V, 2引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 270 W,
• 制造商零件编号：
  FDA24N50
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-5075
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 270 W,
• 制造商零件编号：
  TK35N65W,S1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6208
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 270 W,
• 制造商零件编号：
  TK39N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6218
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 270 W,
• 制造商零件编号：
  TK35N65W,S1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2357
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 270 W,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2369
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75645P3, 75 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 270 W,
• 制造商零件编号：
  HUF75645P3
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-8708
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 270 W,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6214
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN5R0-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 270 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN5R0-80PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2993
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 270 W,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5126
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 270 W,
• 制造商零件编号：
  TK35N65W,S1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5129
  
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• STMicroelectronics Si N沟道 MOSFET SCT30N120, 45 A, Vds=1200 V, 3引脚 Hip247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 270 W,
• 制造商零件编号：
  SCT30N120
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  907-4741
  
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