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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5862N-1G, 98 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  NTD5862N-1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1036
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTD5862NT4G, 98 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  NTD5862NT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1480
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD13AN06A0_F085, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  FDD13AN06A0_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8039
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP30NF10, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  STP30NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7585
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP35NF10, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  STP35NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7614
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB30NF10T4, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  STB30NF10T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5194
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB35NF10T4, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  STB35NF10T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0673
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP100N04S4-H2, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  IPP100N04S4-H2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6864
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VPBF, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  IRFZ44VPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3821
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44VPBF, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  IRFZ44VPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0939
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD13AN06A0, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  FDD13AN06A0
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9052
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ44V, 55 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFZ44V
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9209
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP057N06N3 G, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  IPP057N06N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5550
  
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• Fairchild Semiconductor 六 Si N沟道 MOSFET FTCO3V455A1, 150 A, Vds=40 V, 19引脚 PDIP封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  FTCO3V455A1
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-9227
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD048N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  IPD048N06L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-2896
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB13AN06A0, 62 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  FDB13AN06A0
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8945
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP9NK70Z, 7.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  STP9NK70Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0216
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP052N06L3G, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  IPP052N06L3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6842
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB100N04S4-H2, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 115 W,
• 制造商零件编号：
  IPB100N04S4-H2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8652
  
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