以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5106TR2PBF, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 114 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH5106TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7787
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STL150N3LLH5, 195 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 114 W,
• 制造商零件编号：
  STL150N3LLH5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-9221
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC159N10LSF G, 63 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 114 W,
• 制造商零件编号：
  BSC159N10LSFG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4340
  
• 
  搜索

• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN3R4-30PL, 100 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 114 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN3R4-30PL
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2959
  
• 
  搜索

• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5110TR2PBF, 63 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 114 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH5110TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7780
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC123N10LS G, 71 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 114 W,
• 制造商零件编号：
  BSC123N10LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5305
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFP5N50P3, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 114 W,
• 制造商零件编号：
  IXFP5N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4433
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFP4N60P3, 4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 114 W,
• 制造商零件编号：
  IXFP4N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4439
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC057N08NS3 G, 100 A, Vds=80 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 114 W,
• 制造商零件编号：
  BSC057N08NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5272
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPW50R250CP, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 114 W,
• 制造商零件编号：
  IPW50R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2208
  
• 
  搜索