产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7004TRPBF, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IRFH7004TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9157
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI15N65C3XKSA1, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
SPI15N65C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8778
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP15N60C3XKSA1, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
SPP15N60C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8810
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SPP15N60CFDXKSA1, 13.4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
SPP15N60CFDXKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8813
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC100N10NSF G, 90 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
BSC100N10NSFG
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4375
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7004TRPBF, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IRFH7004TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8665
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
SPP11N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3190
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STMicroelectronics N沟道 MOSFET 晶体管 STW9NK70Z, 7.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
STW9NK70Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2947
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP260N60E, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
FCP260N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1143
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MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDP10N60GTH, 10 A, Vds=660 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
MDP10N60GTH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-4946
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC082N10LS G, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
BSC082N10LSG
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4312
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS86150, 16 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
FDMS86150
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1203
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Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP8N50D-GE3, 8.7 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
SIHP8N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9181
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86350, 130 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
FDMS86350
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8483
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86550, 155 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
FDMS86550
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8492
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPP90R500C3, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IPP90R500C3
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7611
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPW90R500C3, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IPW90R500C3
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7652
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Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET BSC014N06NS, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
BSC014N06NS
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4286
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC046N10NS3 G, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
BSC046N10NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4321
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP32N20C, 28 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
FQP32N20C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5086
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
SPW11N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8505
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPI15N65C3, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
SPI15N65C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8775
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86202, 64 A, Vds=120 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
FDMS86202
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8464
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7085TRPBF, 147 A, Vds=60 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IRFH7085TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4170
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPI90R500C3, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 156 W,
制造商零件编号:
IPI90R500C3
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7557
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