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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD320N20N3 G, 34 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPD320N20N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5474
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD600N25N3 G, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPD600N25N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5478
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD100N04-3M6L_GE3, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  SQD100N04-3M6L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3939
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPB120P04P4L-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9092
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB600N25N3G, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPB600N25N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9204
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB23N15DPBF, 23 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB23N15DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5778
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP114N12N3 G, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPP114N12N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2179
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB067N08N3 G, 80 A, Vds=80 V, 2针+焊片 PG-TO-263-3封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPB067N08N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7099
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB320N20N3 G, 34 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPB320N20N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8344
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD110N12N3 G, 75 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPD110N12N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5462
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM47N10-24L-GE3, 47 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  SQM47N10-24L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3951
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPI120P04P4L-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4672
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N03S4L-03, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPI80N03S4L-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6748
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPP120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPP120P04P4L-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6883
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP120P04P4-04, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPP120P04P4-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6889
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N03S4L-03, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPP80N03S4L-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2311
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD50N04-4M5L-GE3, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  SQD50N04-4M5L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4359
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTP6413ANG, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  NTP6413ANG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2976
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQR40N10-25-GE3, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  SQR40N10-25-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1453
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP029N06N, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPP029N06N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5627
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP320N20N3 G, 34 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPP320N20N3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5642
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2L-13, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPD30N06S2L-13
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5765
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90N03S4L-02, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPD90N03S4L-02
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9398
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N03S4L-02, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPB80N03S4L-02
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8954
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2-15, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,规格：最大功率耗散 136 W,
• 制造商零件编号：
  IPD30N06S2-15
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9197
  
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