产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A08E6TA, 3.5 A, Vds=60 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
ZXMN6A08E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7338
查看其他仓库
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP10A17E6TA, 1.6 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
ZXMP10A17E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2630
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDZ1416NZ, 7 A, Vds=24 V, 4引脚 WLCSP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
FDZ1416NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8748
查看其他仓库
Texas Instruments NexFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD22204WT, 5 A, Vds=8 V, 9引脚 DSBGA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
CSD22204WT
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
900-9908
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4850EY-T1-E3, 6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
SI4850EY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0828
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP6A17E6TA, 3 A, Vds=60 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
ZXMP6A17E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-7894
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN10B08E6TA, 1.9 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
ZXMN10B08E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7420
搜索
Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDZ375P, 3.7 A, Vds=20 V, 4引脚 WLCSP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
FDZ375P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4923
查看其他仓库
Vishay P沟道 Si MOSFET SI2333DDS-T1-GE3, 6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
SI2333DDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9222
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI2304DDS-T1-GE3, 3.6 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
SI2304DDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3117
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DiodesZetex 四 Si N/P沟道 MOSFET ZXMHC3A01T8TA, 1.8 A,3.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SM封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
ZXMHC3A01T8TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-1877
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP4A57E6TA, 3.7 A, Vds=40 V, 6引脚 SOT-26封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
ZXMP4A57E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-3160
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DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET DMP3085LSD-13, 3.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
DMP3085LSD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0490
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4850EY-T1-E3, 6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
SI4850EY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5652
搜索
DiodesZetex 四 Si N/P沟道 MOSFET ZXMHC6A07T8TA, 1.5 A,1.8 A, Vds=60 V, 8引脚 SM封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
ZXMHC6A07T8TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-7888
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DiodesZetex 四 Si N/P沟道 MOSFET ZXMHC3A01T8TA, 1.8 A,3.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SM封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
ZXMHC3A01T8TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-8594
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN3A03E6TA, 4.6 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
ZXMN3A03E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7524
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZXMN2A01E6TA, 3.1 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
ZXMN2A01E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2614
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN2B03E6TA, 5.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
ZXMN2B03E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2618
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4850EY-T1-E3, 6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
SI4850EY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4730
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZXMN2A03E6TA, 4.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
ZXMN2A03E6TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-5354
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI2365EDS-T1-GE3, 4.7 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
SI2365EDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3139
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN6040SSD-13, 6.6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
DMN6040SSD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-4018
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLMS1902TRPBF, 3.2 A, Vds=20 V, 6引脚 Micro6封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
IRLMS1902TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3322
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLMS5703TRPBF, 2.4 A, Vds=30 V, 6引脚 Micro6封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 1.7 W,
制造商零件编号:
IRLMS5703TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3335
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