产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD350N06L G, 29 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
IPD350N06L G
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7496
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4105PBF, 27 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
IRFR4105PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9828
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
IRF9Z34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0806
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4105, 20 A,27 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
AUIRFR4105
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9146
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB530N15N3G, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
IPB530N15N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8982
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDD6637_F085, 21 A, Vds=35 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
FDD6637_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8095
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NLPBF, 14 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
IRF9Z34NLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5056
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2705TRPBF, 28 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
IRLR2705TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4809
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
IRF9Z34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4867
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2705PBF, 28 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
IRLR2705PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0557
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ34N, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
AUIRFZ34N
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1875
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF9Z34N, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
AUIRF9Z34N
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8621
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ34NPBF, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
IRFZ34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9761
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Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 IPD25N06S2-40, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
IPD25N06S2-40
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8973
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2705TRPBF, 28 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
IRLR2705TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3348
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ34NPBF, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
IRFZ34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4766
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ34NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
IRLZ34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4898
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF9Z34N, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
AUIRF9Z34N
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1803
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF9N90CT, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
FQPF9N90CT
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5914
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N03S4L-04, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
IPD70N03S4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9070
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP530N15N3 G, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
IPP530N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2305
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ34NSTRLPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
IRLZ34NSTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5112
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ34NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 68 W,
制造商零件编号:
IRLZ34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1247
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