产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 780 W,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
IXYS (7)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN32N100Q3, 28 A, Vds=1000 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 780 W,
制造商零件编号:
IXFN32N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7574
查看其他仓库
IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTH62N65X2, 62 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 780 W,
制造商零件编号:
IXTH62N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1417
查看其他仓库
IXYS HiperFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK20N120, 20 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-264AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 780 W,
制造商零件编号:
IXFK20N120
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5342
搜索
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN80N50Q3, 63 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 780 W,
制造商零件编号:
IXFN80N50Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7583
查看其他仓库
IXYS HiperFET, X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH60N65X2, 60 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 780 W,
制造商零件编号:
IXFH60N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1426
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN44N80Q3, 37 A, Vds=800 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 780 W,
制造商零件编号:
IXFN44N80Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7571
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN62N80Q3, 49 A, Vds=800 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 780 W,
制造商零件编号:
IXFN62N80Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7580
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号