产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 540 mW,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2402TRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML2402TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-016
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML5103TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-038
搜索
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET 2N7002E-7-F, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
2N7002E-7-F
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-8641
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN65D8L-7, 310 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
DMN65D8L-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-2952
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6302GTRPBF, 780 mA, Vds=20 V, 3引脚 Micro6封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML6302GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3310
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103GTRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML5103GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-1012
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML5103TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4744
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2803TRPBF, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML2803TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-022
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET 2N7002A-7, 220 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
2N7002A-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-8647
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP32D4S-7, 300 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
DMP32D4S-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
828-3228
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2803GTRPBF, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML2803GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-1019
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2803TRPBF, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML2803TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4735
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET 2N7002K-7, 380 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
2N7002K-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-3383
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6302PBF, 780 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML6302PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
610-6851
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Panasonic P沟道 MOSFET 晶体管 FL6L52010L, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 WSSMini6-F1封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
FL6L52010L
品牌:
Panasonic
库存编号:
760-2940
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2402GTRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 Micro6封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML2402GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3316
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2402TRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 540 mW,
制造商零件编号:
IRLML2402TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4731
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