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• Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4090DY-T1-GE3, 20 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 7.8 W,
• 制造商零件编号：
  SI4090DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9131
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SIA923EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 7.8 W,
• 制造商零件编号：
  SIA923EDJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1244
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SIA921EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 7.8 W,
• 制造商零件编号：
  SIA921EDJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1235
  
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• Vishay ThunderFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SI4090DY-T1-GE3, 20 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 7.8 W,
• 制造商零件编号：
  SI4090DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-5902
  
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• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SIA533EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=12 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 7.8 W,
• 制造商零件编号：
  SIA533EDJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1229
  
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• Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4090DY-T1-GE3, 20 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 7.8 W,
• 制造商零件编号：
  SI4090DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4218
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIA906EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：MOSFET 晶体管,品牌：Vishay,规格：最大功率耗散 7.8 W,
• 制造商零件编号：
  SIA906EDJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1238
  
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