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• Toshiba GT40Q321(Q) N沟道 IGBT, 42 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  GT40Q321(Q)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  601-2835
  
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• Fairchild Semiconductor FGL60N100BNTD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1000 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  FGL60N100BNTD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5402
  
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• Fairchild Semiconductor FGL40N120ANDTU N沟道 IGBT, 64 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  FGL40N120ANDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5408
  
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• Fairchild Semiconductor FGL60N100BNTDTU N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1000 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  FGL60N100BNTDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5411
  
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• STMicroelectronics STGW40N120KD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  STGW40N120KD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-9123
  
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• Toshiba GT20J341 N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 100kHz, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  GT20J341
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5055
  
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• Toshiba GT50NR21,Q(O N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1050 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  GT50NR21,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4870
  
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• Fairchild Semiconductor FGA50N100BNTDTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1000 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  FGA50N100BNTDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0751
  
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• Fairchild Semiconductor FGA50N100BNTD2 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1000 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  FGA50N100BNTD2
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0757
  
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• Fairchild Semiconductor FGA50S110P N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1100 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  FGA50S110P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8786
  
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• Fairchild Semiconductor FGH15T120SMD_F155 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  FGH15T120SMD_F155
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8833
  
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• Fairchild Semiconductor FGH25T120SMD_F155 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  FGH25T120SMD_F155
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8846
  
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• Fairchild Semiconductor FGH40T120SMD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  FGH40T120SMD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8855
  
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• Toshiba GT60PR21,STA1F(S N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1100 V, 0.6μs, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  GT60PR21,STA1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2756
  
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• Toshiba GT50MR21,Q(O N沟道 IGBT, 50 A, Vce=900 V, 0.4μs, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  GT50MR21,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2759
  
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• Fairchild Semiconductor FGH40N120ANTU N沟道 IGBT, 64 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AB封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  FGH40N120ANTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4933
  
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• Toshiba GT40J322(Q) N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 0.2μs, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  GT40J322(Q)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  756-0546
  
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• Toshiba GT50MR21,Q(O N沟道 IGBT, 50 A, Vce=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  GT50MR21,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4876
  
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• Fairchild Semiconductor FGA20S140P N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1400 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  FGA20S140P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8773
  
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• Fairchild Semiconductor FGH25N120FTDS N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  FGH25N120FTDS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8837
  
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• Fairchild Semiconductor FGH40T120SMD_F155 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  FGH40T120SMD_F155
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8859
  
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• STMicroelectronics STGW40N120KD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  STGW40N120KD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  102-3540
  
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• Fairchild Semiconductor FGA20N120FTDTU N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  FGA20N120FTDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5391
  
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• STMicroelectronics STGW30NC120HD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  STGW30NC120HD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-9136
  
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• Toshiba GT15J341 N沟道 IGBT, 15 A, Vce=600 V, 100kHz, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大栅极发射极电压 ±25V,
• 制造商零件编号：
  GT15J341
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5046
  
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