产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon IRG7PSH73K10PBF N沟道 IGBT, 220 A, Vce=1200 V, 3引脚 Super-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRG7PSH73K10PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7580
搜索
Infineon IRGP4069PBF N沟道 IGBT, 76 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRGP4069PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7590
搜索
Infineon IRG7PH50UPBF N沟道 IGBT, 140 A, Vce=1200 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRG7PH50UPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1926
搜索
Fairchild Semiconductor FGPF50N33BTTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=330 V, 1MHz, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
FGPF50N33BTTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0798
搜索
Infineon IRG7PH42UD-EP N沟道 IGBT, 85 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRG7PH42UD-EP
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0968
查看其他仓库
Infineon IRGP4690DPBF N沟道 IGBT, 140 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRGP4690DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4234
查看其他仓库
Infineon IRGP4620DPBF N沟道 IGBT, 32 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRGP4620DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4237
查看其他仓库
Infineon IRGR4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 DPAK封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRGR4607DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4252
查看其他仓库
Infineon IRGS4607DPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRGS4607DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4268
查看其他仓库
Infineon IRG8P50N120KDPBF N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRG8P50N120KDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3400
查看其他仓库
Infineon IRG8P40N120KDPBF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRG8P40N120KDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3407
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Infineon IRG7PH30K10PBF N沟道 IGBT, 33 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRG7PH30K10PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7559
搜索
Infineon IRG7PH42UDPBF N沟道 IGBT, 85 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRG7PH42UDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7571
搜索
Infineon IRG7S313UPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=330 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRG7S313UPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7584
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Infineon IRG7PH46UDPBF N沟道 IGBT, 108 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRG7PH46UDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7587
搜索
Infineon IRGP4068DPBF N沟道 IGBT, 96 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRGP4068DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7596
搜索
Infineon IRGP4069DPBF N沟道 IGBT, 76 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRGP4069DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7600
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Fairchild Semiconductor FGD4536TM N沟道 IGBT, 220 A, Vce=360 V, 1MHz, 3引脚 DPAK封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
FGD4536TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0779
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Infineon IRG7PH42U-EP N沟道 IGBT, 90 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRG7PH42U-EP
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0962
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Infineon IRGP4640PBF N沟道 IGBT, 65 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRGP4640PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4230
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Infineon IRGR4610DPBF N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 DPAK封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRGR4610DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4256
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Infineon IRGS4064DPBF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRGS4064DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4265
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Infineon IRGS4615DPBF N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
IRGS4615DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4271
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IXYS MMIX1X200N60B3 N沟道 IGBT, 223 A, Vce=600 V, 10 → 30kHz, 24引脚 SMPD封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
MMIX1X200N60B3
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2484
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IXYS MMIX1X200N60B3H1 N沟道 IGBT, 175 A, Vce=600 V, 10 → 30kHz, 24引脚 SMPD封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大栅极发射极电压 ±30V,
制造商零件编号:
MMIX1X200N60B3H1
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2507
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