产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Toshiba GT50J301(Q) N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PLH封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
GT50J301(Q)
品牌:
Toshiba
库存编号:
184-537
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Infineon IGW50N65H5 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
IGW50N65H5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7157
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Littlefuse NGD8201ANT4G N沟道 IGBT, 50 A, Vce=440 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
NGD8201ANT4G
品牌:
Littlefuse
库存编号:
747-0901
搜索
ON Semiconductor NGTB25N120IHLWG N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
NGTB25N120IHLWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7383
搜索
Toshiba GT50NR21,Q(O N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1050 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
GT50NR21,Q(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4870
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Littlefuse NGB8245NT4G N沟道 IGBT, 50 A, Vce=500 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
NGB8245NT4G
品牌:
Littlefuse
库存编号:
802-1771
搜索
Fairchild Semiconductor FGA50N100BNTDTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1000 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
FGA50N100BNTDTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0751
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Fairchild Semiconductor FGA50N100BNTD2 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1000 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
FGA50N100BNTD2
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0757
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Fairchild Semiconductor FGPF50N33BTTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=330 V, 1MHz, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
FGPF50N33BTTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0798
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Fairchild Semiconductor FGA50S110P N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1100 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
FGA50S110P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8786
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Fairchild Semiconductor FGH25T120SMD_F155 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
FGH25T120SMD_F155
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8846
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Toshiba GT50MR21,Q(O N沟道 IGBT, 50 A, Vce=900 V, 0.4μs, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
GT50MR21,Q(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2759
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STMicroelectronics STGW25S120DF3 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
STGW25S120DF3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2814
搜索
STMicroelectronics STGWA25S120DF3 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
STGWA25S120DF3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2820
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IXYS IXGH24N170 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1700 V, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
IXGH24N170
品牌:
IXYS
库存编号:
194-883
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Infineon IGP50N60T N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
IGP50N60T
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7154
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Infineon IGW50N65F5 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
IGW50N65F5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7426
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ON Semiconductor NGTB25N120LWG N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 4引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
NGTB25N120LWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
769-5816
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Fuji Electric FGW50N60HD N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
FGW50N60HD
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9023
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Fuji Electric FGW50N60VD N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
FGW50N60VD
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9045
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ON Semiconductor NGTB25N120LWG N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
NGTB25N120LWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7386
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Toshiba GT50MR21,Q(O N沟道 IGBT, 50 A, Vce=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
GT50MR21,Q(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4876
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Fairchild Semiconductor FGH25N120FTDS N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
FGH25N120FTDS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8837
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Infineon IRG7PH35UD-EP N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
IRG7PH35UD-EP
品牌:
Infineon
库存编号:
907-4861
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IXYS IXGT30N120B3D1 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-268封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大连续集电极电流 50 A,
制造商零件编号:
IXGT30N120B3D1
品牌:
IXYS
库存编号:
192-635
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