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• Infineon IHW40N65R5 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IHW40N65R5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7143
  
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• Infineon IGW50N65H5 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IGW50N65H5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7157
  
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• Infineon IKW75N65EL5 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IKW75N65EL5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7176
  
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• Infineon IKP15N65F5 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IKP15N65F5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7724
  
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• Infineon IKW40N65H5 N沟道 IGBT, 74 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IKW40N65H5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7779
  
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• Fairchild Semiconductor FGH75T65UPD IGBT, 75 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AB封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  FGH75T65UPD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1067
  
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• Infineon IRGP4266PBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IRGP4266PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-1111
  
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• STMicroelectronics STGW40H65FB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STGW40H65FB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5805
  
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• STMicroelectronics STGWT40H65FB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STGWT40H65FB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-4509
  
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• STMicroelectronics STGWT60H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STGWT60H65DFB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-4666
  
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• Infineon IKP08N65H5XKSA1 N沟道 IGBT, 18 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IKP08N65H5XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8582
  
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• Fairchild Semiconductor FGA30N65SMD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  FGA30N65SMD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8770
  
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• Infineon IRGP4750DPBF N沟道 IGBT, 70 A, Vce=650 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IRGP4750DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3432
  
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• ON Semiconductor NGTG35N65FL2WG N沟道 IGBT, 70 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  NGTG35N65FL2WG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  900-8817
  
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• STMicroelectronics STGP30M65DF2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STGP30M65DF2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2805
  
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• Infineon IGW50N65F5 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IGW50N65F5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7426
  
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• Infineon IRGP4263-EPBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IRGP4263-EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9035
  
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• Infineon IRGP4263PBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IRGP4263PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  784-9039
  
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• STMicroelectronics STGW80H65DFB N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STGW80H65DFB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5814
  
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• Fairchild Semiconductor FGH40T65UPD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  FGH40T65UPD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0773
  
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• STMicroelectronics STGWT60H60DLFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STGWT60H60DLFB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-4663
  
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• STMicroelectronics STGWT80H65DFB N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STGWT80H65DFB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7136
  
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• STMicroelectronics STGWT80H65FB N沟道 IGBT, 120 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  STGWT80H65FB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-7145
  
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• ON Semiconductor NGTB35N65FL2WG N沟道 IGBT, 70 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  NGTB35N65FL2WG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  842-7898
  
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• Infineon IKA08N65H5XKSA1 N沟道 IGBT, 10.8 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 650 V,
• 制造商零件编号：
  IKA08N65H5XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8573
  
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