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• IXYS IXDH20N120D1 N沟道 IGBT, 38 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  IXDH20N120D1
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  192-657
  
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• IXYS IXGH20N120B N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  IXGH20N120B
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-293
  
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• ON Semiconductor NGTB40N120LWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  NGTB40N120LWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-5103
  
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• Infineon IGW15N120H3 N沟道 IGBT, 15 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  IGW15N120H3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7153
  
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• Infineon IRG4PH50UDPBF N沟道 IGBT, 45 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  IRG4PH50UDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0355
  
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• Toshiba GT40Q321(Q) N沟道 IGBT, 42 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  GT40Q321(Q)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  601-2835
  
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• Fairchild Semiconductor FGA15N120ANTDTU_F109 N沟道 IGBT, 24 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  FGA15N120ANTDTU_F109
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5398
  
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• Fairchild Semiconductor FGL40N120ANDTU N沟道 IGBT, 64 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  FGL40N120ANDTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5408
  
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• Infineon IRG7PSH73K10PBF N沟道 IGBT, 220 A, Vce=1200 V, 3引脚 Super-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  IRG7PSH73K10PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7580
  
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• Infineon IRG7PH50UPBF N沟道 IGBT, 140 A, Vce=1200 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  IRG7PH50UPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1926
  
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• Infineon IGW40T120 IGBT, 75 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  IGW40T120
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5392
  
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• Fuji Electric FGW40N120HD N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  FGW40N120HD
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  772-9032
  
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• Fuji Electric FGW30N120HD N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  FGW30N120HD
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  772-9039
  
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• ON Semiconductor NGTB15N120LWG N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  NGTB15N120LWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7352
  
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• ON Semiconductor NGTB20N120IHSWG N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  NGTB20N120IHSWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7377
  
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• ON Semiconductor NGTB25N120IHLWG N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  NGTB25N120IHLWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7383
  
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• ON Semiconductor NGTB40N120LWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  NGTB40N120LWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7403
  
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• ON Semiconductor NGTB40N120IHLWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  NGTB40N120IHLWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7409
  
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• Infineon IRGP30B120KD-EP N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  IRGP30B120KD-EP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0319
  
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• STMicroelectronics STGF3NC120HD N沟道 IGBT, 6 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  STGF3NC120HD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-9094
  
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• STMicroelectronics STGW40N120KD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  STGW40N120KD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-9123
  
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• ON Semiconductor NGTB30N120FL2WG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  NGTB30N120FL2WG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  796-1337
  
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• ON Semiconductor NGTB40N120FL2WG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  NGTB40N120FL2WG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  796-1359
  
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• ON Semiconductor NGTB50N120FL2WG N沟道 IGBT, 100 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  NGTB50N120FL2WG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  796-1369
  
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• IXYS IXYN100N120C3 N沟道 IGBT, 152 A, Vce=1200 V, 20 → 50kHz, 4引脚 SOT-227B封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大集电极-发射极电压 1200 V,
• 制造商零件编号：
  IXYN100N120C3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7600
  
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