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• Fairchild Semiconductor FGH75T65UPD IGBT, 75 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AB封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  FGH75T65UPD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1067
  
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• STMicroelectronics STGW60V60DLF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGW60V60DLF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7652
  
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• STMicroelectronics STGWT60V60DF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGWT60V60DF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7677
  
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• STMicroelectronics STGWT60H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGWT60H65DFB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-4666
  
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• STMicroelectronics STGW25S120DF3 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGW25S120DF3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2814
  
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• STMicroelectronics STGWA25S120DF3 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGWA25S120DF3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2820
  
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• Infineon IGW60T120 N沟道 IGBT, 100 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IGW60T120
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4472
  
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• STMicroelectronics STGWT60V60DLF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGWT60V60DLF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7671
  
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• STMicroelectronics STGW60H60DLFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGW60H60DLFB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5808
  
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• STMicroelectronics STGWT60H60DLFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGWT60H60DLFB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-4663
  
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• STMicroelectronics STGW60H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGW60H65DFB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5802
  
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• STMicroelectronics STGW60V60DF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGW60V60DF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7643
  
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• STMicroelectronics STGW60V60F N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGW60V60F
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7655
  
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• STMicroelectronics STGW60H65FB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGW60H65FB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5811
  
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• STMicroelectronics STGWT60H65FB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGWT60H65FB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-4660
  
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• Fairchild Semiconductor FGH75T65UPD_F085 N沟道 IGBT, 150 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  FGH75T65UPD_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8871
  
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