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• Infineon IRGP30B120KD-EP N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP30B120KD-EP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0319
  
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• IXYS IXGH48N60B3 N沟道 IGBT, 280 A, Vce=600 V, 40kHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  IXGH48N60B3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  791-7416
  
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• Fairchild Semiconductor ISL9V5045S3ST N沟道 IGBT, 51 A, Vce=505 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  ISL9V5045S3ST
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-9365
  
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• Fairchild Semiconductor FGA30N65SMD N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  FGA30N65SMD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8770
  
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• Fairchild Semiconductor FGA50S110P N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1100 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  FGA50S110P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8786
  
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• ON Semiconductor NGTG35N65FL2WG N沟道 IGBT, 70 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  NGTG35N65FL2WG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  900-8817
  
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• Infineon IRGP20B120U-EP N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP20B120U-EP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4849
  
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• Infineon IRGP30B120KD-EP N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP30B120KD-EP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4708
  
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• Infineon IRGP4263-EPBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AD封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP4263-EPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9035
  
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• Infineon IRGP4263PBF N沟道 IGBT, 90 A, Vce=650 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP4263PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  784-9039
  
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• ON Semiconductor NGTB35N65FL2WG N沟道 IGBT, 70 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB35N65FL2WG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  842-7898
  
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• Fairchild Semiconductor ISL9V5045S3ST_F085 N沟道 IGBT, 51 A, Vce=505 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  ISL9V5045S3ST_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-9369
  
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• ON Semiconductor NGTB45N60S1WG N沟道 IGBT, 90 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB45N60S1WG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  882-9821
  
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• ON Semiconductor NGTB35N60FL2WG N沟道 IGBT, 70 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 300 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB35N60FL2WG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  842-7894
  
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