产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon IKW40N65H5 N沟道 IGBT, 74 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
IKW40N65H5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7779
搜索
Infineon IRGP4640DPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
IRGP4640DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
787-1115
查看其他仓库
ON Semiconductor NGTB30N60FLWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
NGTB30N60FLWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
796-1347
搜索
IXYS IXA33IF1200HB N沟道 IGBT, 58 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
IXA33IF1200HB
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0253
查看其他仓库
Infineon IRGP4640PBF N沟道 IGBT, 65 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
IRGP4640PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4230
查看其他仓库
Infineon IRGP4640PBF N沟道 IGBT, 65 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
IRGP4640PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3435
搜索
Infineon IRGP4262DPBF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
IRGP4262DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-4924
查看其他仓库
Infineon AUIRGP4062D N沟道 IGBT, 48 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
AUIRGP4062D
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1683
搜索
Fairchild Semiconductor SGL160N60UFDTU N沟道 IGBT, 160 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-264封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
SGL160N60UFDTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-4580
搜索
ON Semiconductor NGTB40N60IHLWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
NGTB40N60IHLWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7412
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STMicroelectronics STGW39NC60VD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
STGW39NC60VD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-9209
搜索
Fairchild Semiconductor FGA25S125P N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1250 V, 1MHz, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
FGA25S125P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
805-0384
搜索
Fairchild Semiconductor ISL9V5036P3_F085 N沟道 IGBT, 46 A, Vce=300 V, 1MHz, 3引脚 TO-220AA封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
ISL9V5036P3_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-8751
搜索
Fairchild Semiconductor FGH30T65UPDT_F155 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
FGH30T65UPDT_F155
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8843
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Infineon IGW40N65F5 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
IGW40N65F5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7425
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Infineon IRGS4062DPBF N沟道 IGBT, 48 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
IRGS4062DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7607
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ON Semiconductor NGTG30N60FLWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
NGTG30N60FLWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
796-1371
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Fairchild Semiconductor ISL9V5036S3ST N沟道 IGBT, 46 A, Vce=420 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
ISL9V5036S3ST
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-9362
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STMicroelectronics STGW45HF60WD N沟道 IGBT, 70 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
STGW45HF60WD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
877-2902
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Infineon IRGS4062DPBF N沟道 IGBT, 48 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 250 W,
制造商零件编号:
IRGS4062DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
912-8609
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