以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• ON Semiconductor NGTB40N120LWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 260 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB40N120LWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-5103
  
• 
  查看其他仓库

• Fuji Electric FGW30N120HD N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 260 W,
• 制造商零件编号：
  FGW30N120HD
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  772-9039
  
• 
  查看其他仓库

• ON Semiconductor NGTB40N120LWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 260 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB40N120LWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7403
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor NGTB40N120IHLWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 260 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB40N120IHLWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7409
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics STGW30V60F N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 260 W,
• 制造商零件编号：
  STGW30V60F
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7633
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STGF30V60DF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 260 W,
• 制造商零件编号：
  STGF30V60DF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9346
  
• 
  搜索

• Fuji Electric FGW25N120VD N沟道 IGBT, 25 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 260 W,
• 制造商零件编号：
  FGW25N120VD
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  772-9042
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics STGWT30V60F N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 260 W,
• 制造商零件编号：
  STGWT30V60F
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5833
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STGW30H60DFB N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 260 W,
• 制造商零件编号：
  STGW30H60DFB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  860-7450
  
• 
  查看其他仓库

• ON Semiconductor NGTB40N120IHLWG N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 260 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB40N120IHLWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-5104
  
• 
  查看其他仓库

• ON Semiconductor NGTB30N120IHLWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 260 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB30N120IHLWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7380
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor NGTB30N120LWG N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 260 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB30N120LWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7392
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STGP30V60F N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 260 W,
• 制造商零件编号：
  STGP30V60F
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9377
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STGE50NC60VD N沟道 IGBT, 90 A, Vce=600 V, 1MHz, 4引脚 ISOTOP封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 260 W,
• 制造商零件编号：
  STGE50NC60VD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  810-3475
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STGWT30H60DFB N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：IGBT 晶体管,规格：最大功率耗散 260 W,
• 制造商零件编号：
  STGWT30H60DFB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  860-7325
  
• 
  搜索