产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Littlefuse NGD8201ANT4G N沟道 IGBT, 50 A, Vce=440 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
NGD8201ANT4G
品牌:
Littlefuse
库存编号:
747-0901
搜索
STMicroelectronics STGD20N40LZ N沟道 IGBT, 25 A, Vce=425 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
STGD20N40LZ
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5763
搜索
STMicroelectronics STGD18N40LZT4 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=420 V, 1MHz, 3引脚 DPAK封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
STGD18N40LZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-9019
搜索
IXYS IXYP8N90C3 N沟道 IGBT, 48 A, Vce=900 V, 50kHz, 3引脚 TO-220封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IXYP8N90C3
品牌:
IXYS
库存编号:
791-7429
搜索
STMicroelectronics STGD19N40LZ N沟道 IGBT, 25 A, Vce=425 V, 1MHz, 3引脚 DPAK封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
STGD19N40LZ
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9330
搜索
Fairchild Semiconductor FGD4536TM N沟道 IGBT, 220 A, Vce=360 V, 1MHz, 3引脚 DPAK封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
FGD4536TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0779
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Infineon IRGB14C40LPBF N沟道 IGBT, 20 A, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IRGB14C40LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3269
搜索
Infineon IRGB14C40LPBF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=430 V, 1kHz, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IRGB14C40LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-0971
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Infineon IRG8P15N120KDPBF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IRG8P15N120KDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3393
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Infineon IRGS14C40LPBF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=430 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IRGS14C40LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4701
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Infineon IRGS14C40LPBF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=430 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IRGS14C40LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0322
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IXYS IXA20RG1200DHGLB N沟道 IGBT, 32 A, Vce=1200 V, 9引脚 SMPD封装
产品分类:IGBT 晶体管,规格:最大功率耗散 125 W,
制造商零件编号:
IXA20RG1200DHGLB
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2529
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