产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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NXP PDTB113ET PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PDTB113ET
品牌:
Nexperia
库存编号:
508-866
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NXP PDTB123ET PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PDTB123ET
品牌:
Nexperia
库存编号:
508-888
搜索
NXP PDTA114EU,115 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 UMT封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PDTA114EU,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-2185
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NXP PDTA114YU PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21,1, 3引脚 UMT封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PDTA114YU
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-2258
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NXP PDTA144WT PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:2.14, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PDTA144WT
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-2680
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NXP PUMB10 双 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 6引脚 UMT封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PUMB10
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3548
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Infineon BCR198E6433 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BCR198E6433
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8330
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Infineon BCR198SH6327 双 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BCR198SH6327
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8334
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Infineon BCR196WH6327 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 47 kΩ, 电阻比:2.13, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BCR196WH6327
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8337
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NXP PDTA114ET,215 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PDTA114ET,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
484-3441
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NXP PUMB13 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 6引脚 UMT封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PUMB13
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3560
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NXP PDTA114EE,115 PNP 数字晶体管, -100 mA, Vce=-50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-416封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PDTA114EE,115
品牌:
NXP
库存编号:
725-8489
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Fairchild Semiconductor FJN4301RTA PNP 数字晶体管, -100 mA, Vce=-50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 TO-92封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
FJN4301RTA
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0874
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Infineon BCR183WH6327 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BCR183WH6327
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8318
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Infineon BCR191WH6327 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BCR191WH6327
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8321
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Infineon BCR196E6327 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 47 kΩ, 电阻比:2.13, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BCR196E6327
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8328
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Infineon BCR553E6327 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BCR553E6327
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8368
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NXP PDTA143ET PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PDTA143ET
品牌:
Nexperia
库存编号:
484-3457
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NXP PDTA143ZT,215 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PDTA143ZT,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
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NXP PDTA144WU PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:2.14, 3引脚 UMT封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PDTA144WU
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-2696
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Fairchild Semiconductor FJV4101RMTF PNP 数字晶体管, -100 mA, Vce=-50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
FJV4101RMTF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0953
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DiodesZetex DDTA113ZCA-7-F PNP 数字晶体管, -100 mA, Vce=-50 V, 1 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
DDTA113ZCA-7-F
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
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Infineon BCR183SH6327 双 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BCR183SH6327
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8315
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Infineon BCR198WH6327 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
BCR198WH6327
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8343
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NXP PDTA114YT PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21,1, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 -10 V,
制造商零件编号:
PDTA114YT
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-2242
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