产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
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NXP PMD9003D,115 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 TSOP封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PMD9003D,115
品牌:
NXP
库存编号:
509-453
查看其他仓库
NXP PMD9001D,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 TSOP封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PMD9001D,115
品牌:
NXP
库存编号:
509-790
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Infineon BCR 198 E6327 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
BCR 198 E6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7759
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NXP PDTC123JT,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PDTC123JT,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-2905
搜索
NXP PDTC124ET,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PDTC124ET,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-2949
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NXP PEMH13 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 6引脚 SSMini封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PEMH13
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3447
搜索
NXP PUMH15 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 UMT封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PUMH15
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3863
搜索
NXP PUMH17 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:2.14, 6引脚 UMT封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PUMH17
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3891
搜索
NXP PUMH20 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 UMT封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PUMH20
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3942
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NXP PUMH9,115 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21,1, 6引脚 UMT封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PUMH9,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
518-3986
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NXP PDTC143ET,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PDTC143ET,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8477
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NXP PDTC123JE,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 SOT-416封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PDTC123JE,115
品牌:
NXP
库存编号:
725-8492
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NXP PDTC115EE,115 NPN 数字晶体管, 0.02 A, Vce=50 V, 100 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-416封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PDTC115EE,115
品牌:
NXP
库存编号:
725-8509
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Fairchild Semiconductor FJV3104RMTF NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
FJV3104RMTF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0940
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Fairchild Semiconductor FJV3115RMTF NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.22, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
FJV3115RMTF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0959
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Infineon BCR141 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
BCR141
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9308
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Infineon BCR192E6327 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:0.47, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
BCR192E6327
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9452
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Infineon BCR191E6327 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
BCR191E6327
品牌:
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Infineon BCR142E6327 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:0.47, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
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Infineon BCR533E6327 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
BCR533E6327
品牌:
Infineon
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826-9979
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Infineon BCR133E6433 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
BCR133E6433
品牌:
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Infineon BCR148SH6433 双 NPN 数字晶体管, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
BCR148SH6433
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Infineon BCR22PNH6433 双 NPN,PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 SOT-363封装
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制造商零件编号:
BCR22PNH6433
品牌:
Infineon
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NXP PDTD123ET NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
制造商零件编号:
PDTD123ET
品牌:
Nexperia
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NXP PDTC114ET,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:数字晶体管,规格:最大发射极-基极电压 10 V,
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PDTC114ET,215
品牌:
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