产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF16N60, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCPF16N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4761
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP51N25, 51 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDP51N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4843
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK20A60W5,S5VX(M, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK20A60W5,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2939
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7746PBF, 59 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB7746PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
907-5148
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP35NF10, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP35NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7614
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP16N60, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCP16N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4742
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD25NF10T4, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD25NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5061
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB35NF10T4, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB35NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0673
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ROHM N沟道 Si MOSFET R5019ANX, 19 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FM封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
R5019ANX
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7523
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC030N03MS G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC030N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5244
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R2-80YS, 82 A, Vds=80 V, 4引脚 SOT-669封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
PSMN8R2-80YS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-3031
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STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STP140N6F7, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP140N6F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-4693
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40J60U(F), 40 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK40J60U(F)
品牌:
Toshiba
库存编号:
760-3142
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK20A60W5,S5VX(M, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK20A60W5,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5065
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF51N25, 51 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDPF51N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3620
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STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STL140N6F7, 140 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STL140N6F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
907-4766
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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD25NF10T4, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD25NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6563
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