产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 59 nC @ 10 V,
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD036N04L G, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 59 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD036N04L G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9364
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7406PBF, 5.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 59 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7406PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9856
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4104PBF, 119 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 59 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR4104PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8888
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4104, 119 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 59 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRFR4104
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7642
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4104, 119 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 59 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRFR4104
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3988
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFU4104, 119 A, Vds=40 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 59 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRFU4104
品牌:
Infineon
库存编号:
715-7649
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR7746PBF, 59 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 59 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR7746PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3331
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP039N04L G, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 59 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP039N04L G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2330
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N10S3L-12, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 59 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD70N10S3L-12
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3021
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR7746TRPBF, 59 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 59 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR7746TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4209
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7406TRPBF, 5.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,品牌:Infineon,规格:典型栅极电荷@Vgs 59 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7406TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4951
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