以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP038AN06A0, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 96 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDP038AN06A0
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4774
  
• 
  查看其他仓库

• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ60N50P3, 60 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 96 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFQ60N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4461
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STL57N65M5, 22 A, Vds=710 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 96 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STL57N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3056
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP140N8F7, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 96 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP140N8F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7810
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH60N50P3, 60 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 96 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFH60N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4382
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R125C6, 30 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 96 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB60R125C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  898-6909
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW45NM60, 45 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 96 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW45NM60
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8742
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW45NM60, 45 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 96 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW45NM60
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  714-6800
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STH140N8F7-2, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 H2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 96 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STH140N8F7-2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5830
  
• 
  搜索