产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 93 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH36N50P, 36 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 93 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFH36N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-546
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104LPBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 93 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF1104LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1077
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N65M2, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 93 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW56N65M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5733
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N65M2-4, 49 A, Vds=650 V, 4引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 93 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW56N65M2-4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5736
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104PBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 93 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF1104PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4946
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104PBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 93 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF1104PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1994
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC020N03MS G, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 93 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC020N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5235
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMS6673BZ, 90 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 93 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS6673BZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9623
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Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7446PBF, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 93 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFB7446PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
776-9181
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFT44N50Q3, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-268封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 93 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFT44N50Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1474
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSO033N03MSG, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 93 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSO033N03MSG
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9184
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Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R045C7, 46 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 93 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPW65R045C7
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7633
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH36N50P, 36 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 93 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFH36N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0782
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH44N50Q3, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 93 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFH44N50Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1395
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR44N50Q3, 25 A, Vds=500 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 93 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFR44N50Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1449
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Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R045C7, 46 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 93 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP65R045C7
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7582
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