产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7660S, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMC7660S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6288
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD15P10PLG, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPD15P10PLG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5347
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STB33N60DM2, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB33N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6461
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB110N15A, 92 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDB110N15A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0802
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW33N60DM2, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW33N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6481
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP22N30, 21 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQP22N30
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5058
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Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7670AS, 113 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS7670AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4807
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDB44N25TM, 44 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDB44N25TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8989
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDT456P, 7.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NDT456P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-3971
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET SI4435DYPBF, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI4435DYPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3859
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STP33N60DM2, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP33N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6476
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET SI4435DYPBF, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI4435DYPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1308
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF13NK50Z, 11 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF13NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2742
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDF10N60ZG, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NDF10N60ZG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0490
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF44N25T, 44 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDPF44N25T
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3618
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3008SFG-7, 11.7 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
DMP3008SFG-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2630
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPP15P10PL H, 11.3 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPP15P10PL H
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5560
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