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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBF20PBF, 1.7 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFBF20PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9541
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBG20PBF, 1.4 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFBG20PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9563
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9634GPBF, 4.1 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFI9634GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4780
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9530PBF, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF9530PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-5159
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK34E10N1, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK34E10N1
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5086
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R0-40YS, 100 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN4R0-40YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2965
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK16N60W,S1VF(S, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK16N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5047
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ22N60P3, 22 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFQ22N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4449
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB30NF20, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STB30NF20
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  810-7499
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SIHF830S-GE3, 4.5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SIHF830S-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2654
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19531KCS, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  CSD19531KCS
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4912
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16J60W,S1VQ(O, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK16J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6141
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK34A10N1,S4X(S, 34 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK34A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6195
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC4435BZ_F126, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMC4435BZ_F126
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8192
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16A60W,S4VX(M, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK16A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2901
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQP33N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5095
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRF840ASPBF, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF840ASPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-5146
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD040N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5459
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP30NF20, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP30NF20
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0109
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK16J60W,S1VQ(O, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK16J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5043
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF39N20, 39 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDPF39N20
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3614
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUM40N15-38-E3, 40 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SUM40N15-38-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7486
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16E60W,S1VX(S, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK16E60W,S1VX(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6148
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16N60W,S1VF(S, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK16N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2910
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK34A10N1,S4X(S, 34 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK34A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2341
  
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