产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP450APBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFP450APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0030
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW30N65M5, 22 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW30N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0317
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Toshiba TPC 系列 Si P沟道 MOSFET TPC8125, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TPC8125
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5115
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR15N100Q3, 10 A, Vds=1000 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFR15N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1430
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS5360L_F085, 60 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS5360L_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8372
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB200N25N3 G, 64 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB200N25N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
898-6870
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPP11N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3190
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN3R4-30PL, 100 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
PSMN3R4-30PL
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2959
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFN8403TR, 123 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRFN8403TR
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4149
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK70ZFP, 8.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP10NK70ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8846
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS7660AS, 152 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS7660AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4793
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPA11N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8476
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH15N100Q3, 15 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFH15N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1389
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI5471DC-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI5471DC-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1328
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUP90N15-18P-E3, 90 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SUP90N15-18P-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7502
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IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH15N100Q3, 15 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFH15N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0969
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPW11N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8505
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP200N25N3 G, 64 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP200N25N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5500
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK70ZFP, 8.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP10NK70ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9960
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Vishay N沟道 Si MOSFET SiHG32N50D-GE3, 30 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SiHG32N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9207
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFT15N100Q3, 15 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-268封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 64 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFT15N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1468
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