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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFR3504ZPBF, 77 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR3504ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4362
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP42AN15A0, 5 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDP42AN15A0
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4840
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP14N30, 14.4 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQP14N30
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5039
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC057N03MS G, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC057N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5279
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC8462, 64 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMC8462
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9134
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB11NM60T4, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STB11NM60T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9474
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD13NM60N, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD13NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9881
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP13NM60N, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP13NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0008
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN027-100XS, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN027-100XS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2870
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS5811NLTAG, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 WDFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NVTFS5811NLTAG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  823-4194
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS5811NLTWG, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 WDFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NVTFS5811NLTWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  823-4197
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 双 N沟道 Si MOSFET IPG20N04S4L-08, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPG20N04S4L-08
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9222
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50N06S4L-12, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD50N06S4L-12
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9061
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STW15N95K5, 12 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW15N95K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1493
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB35N10S3L-26, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB35N10S3L-26
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8671
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS2734, 14 A, Vds=250 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS2734
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4942
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD18N20LZ, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD18N20LZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8057
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4410DYPBF, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI4410DYPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-2414
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP17P10, 16.5 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQP17P10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5048
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD15NF10T4, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD15NF10T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  714-1060
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR3504Z, 77 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR3504Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7417
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N04S3-07, 82 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD70N04S3-07
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3024
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STI13NM60N, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STI13NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9601
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET 晶体管 STB13NM60N, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STB13NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9803
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP11NM60ND, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP11NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9982
  
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