产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9110PBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFU9110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1663
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSC520N15NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5323
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSZ520N15NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5389
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9110TRPBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR9110TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0644
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB530N15N3G, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB530N15N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8982
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9110PBF, 3.1 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR9110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0395
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9510SPBF, 4 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9510SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4126
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFL9110TRPBF, 690 mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFL9110TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2730
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9510PBF, 4 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9510PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0018
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFHS8342TR2PBF, 8.8 A, Vds=30 V, 7引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFHS8342TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7335
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ900N20NS3 G, 15.2 A, Vds=200 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSZ900N20NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
906-4444
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFL9110PBF, 1.1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFL9110PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0367
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP530N15N3 G, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 8.7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP530N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2305
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